内存颗粒编号与内存品牌知识介绍 (1人在浏览)

[半个人]

Samsung内存
具体含义解释：
例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0
主要含义：
第1位――芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位――芯片类型4，代表DRAM。
第3位――芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位――容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位――数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位――连线“-”。
第14、15位――芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

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Hynix(Hyundai)现代
现代内存的含义：
HY5DV641622AT-36
HYXXXXXXXXXXXXXXXX
123456789101112
　　1、HY代表是现代的产品
　　2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；
　　3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V　
　　4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；128=128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef
　　5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
　　6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
　　7、I/O界面：1:SSTL_3、　2:SSTL_2
　　8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
　　9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
　　10、内存芯片封装形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ
　　11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、LDR200、HDR266B、　KDR266A
现代的mBGA封装的颗粒

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Infineon（英飞凌）

Infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5――表示该内存的工作频率是133MHz；
-8――表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×8片/8=128MB（兆字节）。

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KINGMAX、kti
KINGMAX内存的说明
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A――64Mbits，16M地址空间
[/color]×4位数据宽度；
KSV884T4A0A――64Mbits，8M地址空间×8位数据宽度；
KSV244T4XXX――128Mbits，32M地址空间×4位数据宽度；
KSV684T4XXX――128Mbits，16M地址空间×8位数据宽度；
KSV864T4XXX――128Mbits，8M地址空间×16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A――PC133/CL=2；
-7――PC133/CL=3；
-8A――PC100/CL=2；
-8――PC100/CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造，其容量计算为：64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。

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Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT――Micron的厂商名称。
48――内存的类型。48代表SDRAM；46代表DDR。
LC――供电电压。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。
16M8――内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2――内存内核版本号。
TG――封装方式，TG即TSOP封装。
-75――内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）。

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Winbond（华邦）
含义说明：
WXXXXXXXX
12345
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
　　2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM
　　3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
　　4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
　　5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ

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Mosel（台湾茂矽）

台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns
NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR

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南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns。
AP、Whichip、Mr.STONE、Lei、GOLD
M.tec（勤茂）、TwinMOS（勤茂）

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V-DATA（香港威刚）、A-DATA（台湾威刚）、VT

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内存颗粒编号为VDD8608A8A-6B H0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256M容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周
A－DATA
这是A－DATA的DDR500

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[kycdle]

最好是跟大家说说芯片封装的知识

 

[lyy]

不错,顶!